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参数资料
| 型号： | DMP2240UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2240UDMDIDKR |
DMP2240UDM
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 0V
T j = 25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Ordering Information
(Note 5)
Part Number
DMP2240UDM-7
Case
SOT-26
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
DMV = Marking Code
DMV
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: U = 2007)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
SOT-26
Dim Min Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
M
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
J
DMP2240UDM
Document number: DS31197 Rev. 5 - 2
D
L
4 of 5
www.diodes.com
α 0° 8° ?
All Dimensions in mm
April 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2240UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2240UW-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel .25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP22D4UFA-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP22D6UT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP22D6UT-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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