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参数资料
| 型号： | DMP3056LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 722pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMP3056LSD
10
1
0.1
T A = 150°C
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.001
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
DETAIL A
b
D
E
0.3
4.85
5.90
0.5
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
DETAIL A
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Y
C1
Value (in mm)
0.60
1.55
5.4
Y
DMP3056LSD
Document number: DS31420 Rev. 7 - 2
C2
C1
4 of 5
www.diodes.com
C2
1.27
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3056LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMP3098L-7 | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 |
| DMP3098LDM-7 | MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 |
| DMP3098LSD-13 | MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| DMP3098LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP3056LSDQ-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:DIODE - Tape and Reel |
| DMP3056LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP3056LSS-13 | 功能描述:MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3098L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3098L-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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