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参数资料
| 型号： | DMP3098LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 336pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMP3098LSD
2.4
10
2.0
I D = -250μA
8
T A = 25°C
6
1.6
4
1.2
2
0.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.4
0.6 0.8 1
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
E1 E
A1
L
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
Dim
A
A1
A2
Min
-
0.10
1.30
Max
1.75
0.20
1.50
DETAIL A
A3
b
0.15
0.3
0.25
0.5
e
b
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
DETAIL A
D
E
E1
e
h
L
4.85 4.95
5.90 6.10
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
D
θ
0 °
8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Y
Value (in mm)
0.60
1.55
C2
Y
DMP3098LSD
Document number: DS31448 Rev. 4 - 2
C1
4 of 5
www.diodes.com
C1
C2
5.4
1.27
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3098LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| DMP3105LVT-7 | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 |
| DMP3130L-7 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 |
| DMP3160L-7 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 |
| DMP31D0UFB4-7B | MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP3098LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP3098LSS-13 | 功能描述:MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3099L-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT23 |
| DMP3100L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3100L-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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