型号: | DMP31D0UFB4-7B |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 540mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 欧姆 @ 400mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 76pF @ 15V |
功率 - 最大: | 460mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
供应商设备封装: | 3-X2-DFN1006 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | DMP31D0UFB4-7BDIDKR |