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参数资料
| 型号： | DMP31D0UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 76pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X2-DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP31D0UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP31D0UFB4
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
0
2 4 6
8
1.6
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.7
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 6 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.4
V GS = -4.5V
1.5
1.2
1.3
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
1.1
0.9
0.7
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
1.0
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
1.6
1.4
1.2
Fig. 7 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
1.2
1.0
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = -2. 5V
I D = -250m A
V GS = -4.5V
I D = -500m A
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMP31D0UFB4
D atasheet number: DS35587 Rev. 1 - 2
4 of 7
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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