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参数资料
| 型号： | DMP31D0UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 76pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X2-DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP31D0UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP31D0UFB4
Package Outline Dimensions
A
X2-DFN1006-3
Dim
Min
Max Typ
A1
A
?
0.40
?
A1
0
0.05 0.02
D
b1
b2
D
0.10
0.45
0.95
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
E
b2
b1
e
E
e
L1
0.55
?
0.20
0.675 0.60
? 0.35
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMP31D0UFB4
D atasheet number: DS35587 Rev. 1 - 2
6 of 7
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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