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参数资料
| 型号： | DMP31D0UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 76pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X2-DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP31D0UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP31D0UFB4
1.0
0.8
0.6
120
100
80
C iss
f = 1MHz
60
0.4
40
0.2
20
C oss
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
0
0
C rss
5 10 15 20 25
30
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Junction Capacitance
T A = 150°C
10,000
6
1,000
100
10
T A = 125°C
T A = 85°C
4
1
T A = 25°C
2
0.1
0 5 10 15 20 25 30
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Charge Characteristics
2.0
DMP31D0UFB4
D atasheet number: DS35587 Rev. 1 - 2
5 of 7
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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