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参数资料
| 型号： | DMP3098LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 336pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMP3098LSS
1
0.14
0.12
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = -4.5V
0.10
0.08
0.06
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = -10V
0.04
0.02
0.01
0
4
8 12 16
20
0
0
2
4 6 8
10
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1,000
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = -10V
I D = -5.3A
C iss
1.2
V GS = -4.5V
I D = -4.2A
100
C oss
1.0
C rss
0.8
0.6
10
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5 10 15 20 25
30
2.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
10
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
2.0
I D = -250μA
T A = 25°C
6
1.6
4
1.2
2
0.8
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP3098LSS
Document number: DS31265 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
September 2008
? Diodes Incorporated
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