- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录408 > DMP4047LFDE-7 (Diodes Inc)MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMP4047LFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1382pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP4047LFDE-7DIDKR |
DMP4047LFDE
30
V GS = -10V
30
25
20
V GS = -5.0V
V GS = -4.5V
25
20
V DS = -5.0V
V GS = -4.0V
15
10
V GS = -3.5V
V GS = -3.0V
15
10
5
V GS = -2.5V
5
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
0
0
V GS = -2.0V
1 2 3 4
5
0
0
T A = -55 ° C
1 2 3 4
5
0.15
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
20
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.12
15
0.09
V GS = -2.5V
10
0.06
0.03
V GS = -4.5V
5
I D = -4.4A
V GS = -10V
I D = -3.7A
0
0
0
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
0.10
0.08
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS = -4.5V
1.6
1.4
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
V GS = -10V
I D = -10A
T A = 150 ° C
V GS = -4.5V
0.06
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
1.2
I D = -5A
0.04
0.02
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
1.0
0.8
0
0
5 10 15 20 25
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
30
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP4047LFDE
D atasheet number: DS35777 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP4050SSD-13 | MOSFET 2P-CH 40V 4A SO8 |
| DMP4050SSS-13 | MOSFET P-CH 40V 4.4A SO8 |
| DMP4051LK3-13 | MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK |
| DMP57D5UFB-7 | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN |
| DMP58D0LFB-7B | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP4047SSD-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 40V 5.1A 8-SOIC |
| DMP4050SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP4050SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP4050SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP4050SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.7A,-6.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。