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参数资料
| 型号： | DMP4047LFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1382pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP4047LFDE-7DIDKR |
DMP4047LFDE
0.08
2.0
1.8
0.06
1.6
1.4
-I D = 1mA
0.04
V GS = -4. 5V
I D = -5 A
1.2
1.0
0.8
-I D = 250μA
0.02
V GS = -10V
I D = -10 A
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
30
Fig. 7 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
f = 1MHz
25
20
15
T A = 150 ° C
1,000
C iss
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
C oss
10
5
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
100
C rss
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
1.5
10
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
20
10
100
R DS(on)
Limited
8
10
6
V DS = -20V
I D = -4.9A
4
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
2
0.1
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
V GS = -10V
Single Pulse
0
0
5 10 15 20
25
DUT on 1 * MRP Board
0.01
0.1 1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMP4047LFDE
D atasheet number: DS35777 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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