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参数资料
| 型号： | DMS2220LFDB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN |
| 其它图纸： | DFN2020B-6 Top DFN2020B-6 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN2020B（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFDBDIDKR |
DMS2220LFDB
10,000
1,000
C iss
f = 1MHz
1
0.9
0.8
0.7
0.6
I D = -1mA
100
C oss
C rss
0.5
0.4
I D = -250μA
0.3
10
0
4
8 12 16
20
0.2
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
6
4
2
T A = 25°C
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 146°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2220LFDB
Document number: DS31546 Rev. 9 - 2
4 of 7
www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS2220LFW-7 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS2220LFW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR |
| DMS2220LFW-7 | 功能描述:MOSFET 20V 2.9A P-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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