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参数资料
| 型号： | DMS2220LFW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Apr/2012 |
| 其它图纸： | DFN3020-8 Top DFN3020-8 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFWDIDKR |
DMS2220LFW
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR
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Features
Mechanical Data
?
Low On-Resistance
?
Case: DFN3020-8
?
95m Ω @V GS = -4.5V
?
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.
?
?
?
?
?
?
?
?
? 120m Ω @V GS = -2.5V
? 86m Ω (typ) @V GS = -1.8V
Low Gate Threshold Voltage, -1.3V Max
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Incorporates Low V F Super Barrier Rectifier (SBR)
Low Profile, 0.5mm Max Height
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)
"Green" Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
?
?
?
?
?
?
UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Terminal Connections: See Diagram
Terminals: Finish – NiPdAu over Copper leadframe.
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Marking Information: See Page 5
Ordering Information: See Page 5
Weight: 0.011 grams (approximate)
DFN3020-8
A
A
S
G
K
K
D
D
K
K
D
D
K
D
A
A
S
G
Top View
Bottom View
Top View
Internal Schematic
Bottom View
Pin Configuration
Maximum Ratings – TOTAL DEVICE
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
1.5
85
-55 to +150
Unit
W
° C/W
° C
Maximum Ratings – P-CHANNEL MOSFET – Q1
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1)
Pulsed Drain Current (Note 4)
Maximum Ratings – SBR – D1
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DM
@T A = 25°C unless otherwise specified
Symbol
V RRM
V RWM
V R
Value
-20
±12
-2.9
-10
Value
35
Units
V
V
A
A
Unit
V
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load
V R(RMS)
I O
I FSM
25
1
3
V
A
A
Notes:
1.
2.
3.
4.
Device mounted on FR-4 PCB, on minimum recommended, 2oz Copper pad layout.
No purposefully added lead.
Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
1 of 6
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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