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参数资料
| 型号： | DMS2220LFW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Apr/2012 |
| 其它图纸： | DFN3020-8 Top DFN3020-8 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFWDIDKR |
DMS2220LFW
D1, SBR - Continued
10,000
1,000
T A = 150°C
10,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
1,000
f = 1MHz
10
1
T A = 25°C
100
10
0.1
0.01
1
0
5 10 15 20 25 30 35 40
0.1
1
10
100
1.6
1.4
V R , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Reverse Characteristics
150
125
V R , DC REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
1.2
1.0
0.8
0.6
Note 2
100
75
50
0.4
25
0.2
0
0
25
50 75 100 125 150
175
0
10 20 30
40
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 14 Forward Current Derating Curve
V R , DC REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 15 Operating Temperature Derating
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMS2220LFW-7
Case
DFN3020-8
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
ME = Product Type Marking Code
ME YM
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: V = 2008)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
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www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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