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参数资料
| 型号： | DMS2220LFW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Apr/2012 |
| 其它图纸： | DFN3020-8 Top DFN3020-8 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFWDIDKR |
DMS2220LFW
Q1, P-CHANNEL MOSFET - Continued
0.14
0.12
0.14
0.12
0.1
0.1
T A = 125°C
T A = 150°C
0.08
V GS = -1.8V
0.08
0.06
0.04
0.02
0
V GS = -2.5V
V GS = -4.5 V
0.06
0.04
0.02
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
1
2 3 4 5 6 7
8
0
1
2 3 4 5 6 7
8
1.6
1.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -2.5V
0.11
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
I D = -2A
0.09
1.2
V GS = -4.5V
I D = -5A
V GS = -2.5V
I D = -2A
0.07
1.0
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.8
0.6
0.05
0.03
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10,000
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
f = 1MHz
0.9
0.8
1,000
C iss
0.7
0.6
0.5
I D = -1mA
100
10
C oss
C rss
0.4
0.3
0.2
I D = -250μA
0
4
8 12 16
20
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Capacitance
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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