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参数资料
| 型号： | DMS2220LFW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Apr/2012 |
| 其它图纸： | DFN3020-8 Top DFN3020-8 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFWDIDKR |
DMS2220LFW
Q1, P-CHANNEL MOSFET - Continued
10
8
6
4
2
0
0
0.7
0.6
T A = 25°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
D1, SBR
1
T A = 150°C
0.5
0.4
0.1
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.3
T A = 25°C
0.2
0.1
0.001
T A = -55°C
0
0.0001
0
0.5 1 1.5
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.8
I F(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Fig. 10 Forward Power Dissipation
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Forward Characteristics
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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