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参数资料
| 型号： | DMS2220LFW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Apr/2012 |
| 其它图纸： | DFN3020-8 Top DFN3020-8 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2220LFWDIDKR |
DMS2220LFW
Electrical Characteristics – P-CHANNEL MOSFET – Q1
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-20
?
?
?
?
?
?
?
?
-1
± 100
± 800
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -20V, V GS = 0V
V GS = ± 8V, V DS = 0V
V GS = ± 12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
-0.45
?
-1.3
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
?
60
95
V GS = -4.5V, I D = -2.8A
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 5)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
?
?
?
?
74
86
8
0.7
120
?
?
-1.2
m Ω
S
V
V GS = -2.5V, I D = -2.0A
V GS = -1.8V, I D = -1.0A
V DS = -5V, I D = -2.8A
V GS = 0V, I S = -1.6A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
632
65
54
?
?
?
pF
pF
pF
V DS = -10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Electrical Characteristics – SBR – D1
@ T A = 25oC unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
Forward Voltage
Reverse Current (Note 5)
Symbol
V (BR)R
V F
I R
Min
35
?
?
?
Typ
40
?
?
?
Max
?
0.42
0.49
100
Unit
V
V
μ A
I R = 1mA
I F = 0.5A
I F = 1.0A
V R = 20V
Test Condition
Notes:
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
Q1, P-CHANNEL MOSFET
10
V GS = -8.0V
V GS = -4.5V
10
V DS = -5V
8
6
4
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
V GS = -1.5V
8
6
4
T A = 150°C
2
2
T A = 125°C
T A = 85°C
0
0
V GS = -1.2V
V GS = -1.0V
1 2 3 4
5
0
0.5
1
T A = 25°C
T A = -55°C
1.5
2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
DMS2220LFW
Document number: DS31547 Rev. 8 - 2
2 of 6
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
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