参数资料
型号: DMS2220LFDB-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
其它图纸: DFN2020B-6 Top
DFN2020B-6 Side
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 632pF @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-DFN2020B(2x2)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMS2220LFDBDIDKR
DMS2220LFDB
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
U-DFN2020-6
A
A3
Type B
SEATING PLANE
Dim
Min
Max Typ
A1
A
0.545 0.605 0.575
Pin#1 ID
z
D
D2
A1
A3
b
D
d
0 0.05 0.02
? ? 0.13
0.20 0.30 0.25
1.95 2.075 2.00
? ? 0.45
E
E2
f
d
f
D2
e
E
E2
0.50 0.70 0.60
? ? 0.65
1.95 2.075 2.00
0.90 1.10 1.00
L
f
L
? ? 0.15
0.25 0.35 0.30
e
b
z ? ? 0.225
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
C
X2
G1
G
X1
Dimensions
Z
G
G1
X1
X2
Y
Value (in mm)
1.67
0.20
0.40
1.0
0.45
0.37
Z
Y1
G
Y1
C
0.70
0.65
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2220LFDB
Document number: DS31546 Rev. 9 - 2
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www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
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