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参数资料
| 型号： | DMS3014SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3014SFG-7DIDKR |
DMS3014SFG
100
100
R DS(on)
Limited
P W = 10 μs
90
R θ JA(t) (t) * R θ JA
T J A = P * R θ JA(t)
10
DC
80
70
60
Single Pulse
R θ JA = 61 ° C/W
=r
-T
1
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
50
40
30
20
10
0.01
0.1
1
10
100
0
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 SOA, Safe Operation Area
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 2 Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R θ JA(t) = r (t) * R θ JA
R θ JA = 60 ° C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 3 Transient Thermal Resistance
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMS3014SFG
Document number: DS35594 Rev. 6 - 2
3 of 8
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS3014SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3014SSS-13 | 功能描述:MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3015SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3015SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3016SFG-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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