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参数资料
型号： DMS3014SFG-7
厂商： Diodes Inc
文件页数： 4/8页
文件大小： 0K
描述： MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8
标准包装： 1
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 13 毫欧 @ 10.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 45.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4310pF @ 15V
功率 - 最大： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
供应商设备封装： PowerDI3333-8
包装： 标准包装
其它名称： DMS3014SFG-7DIDKR
DMS3014SFG
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 8)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
-
-
-
-
-
-
100
±100
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 8)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
1.0
-
-
-
-
-
9
10
23
0.4
2.2
13
14
-
0.55
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 10.4A
V GS = 4.5V, I D = 10.4A
V DS = 5V, I D = 10.4A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 9)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge V GS = 4.5V
Total Gate Charge V GS = 10V
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
t rr
Q rr
-
-
-
0.26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2296
164
120
1.3
19.3
45.7
5.0
2.9
5.5
24.4
33.1
6.6
12.9
8.0
4310
-
-
2.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
?
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 10.4A
V GS = 10V, V DS = 15V,
R G = 3 ? , R L = 1.2 ?
I F = 13A, di/dt = 500A/ μ s
I F = 13A, di/dt = 500A/ μ s
Notes:
8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
9. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
30
30
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V DS = 5V
25
20
V GS = 3.5V
V GS = 2.5V
25
20
V GS = 3.0V
15
10
15
10
V GS = 150°C
V GS = 125°C
V GS = 85°C
5
V GS = 2.2V
V GS = 2.0V
5
V GS = 25°C
V GS = -55°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Output Characteristic
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristic
DMS3014SFG
Document number: DS35594 Rev. 6 - 2
4 of 8
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
DMS3014SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
DMS3014SSS-13 功能描述:MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMS3015SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
DMS3015SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMS3016SFG-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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