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参数资料
| 型号： | DMS3014SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3014SFG-7DIDKR |
DMS3014SFG
Package Outline Dimensions
A
A3
POWERDI3333-8
Dim Min Max Typ
D
D2
A1
D
E
D2
E2
3.25
3.25
2.22
1.56
3.35 3.30
3.35 3.30
2.32 2.27
1.66 1.61
E
Pin 1 ID
E2
1
4
L
(4x)
b2
(4x)
A
A1
A3
b
b2
L
0.75
0
?
0.27
?
0.35
0.85 0.80
0.05 0.02
? 0.203
0.37 0.32
? 0.20
0.45 0.40
8
5
L1
(3x)
L1
e
Z
?
?
?
?
?
?
0.39
0.65
0.515
Z (4x)
e
b (8x)
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
G
Dimensions
C
G
Value (in mm)
0.650
0.230
Y2
8
G1
5
Y1
G1
Y
0.420
3.700
Y
Y1
Y2
2.250
1.850
Y3
1
X2
C
4
Y3
X
X2
0.700
2.370
0.420
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMS3014SFG
Document number: DS35594 Rev. 6 - 2
7 of 8
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS3014SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| DMS3015SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS3014SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3014SSS-13 | 功能描述:MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3015SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3015SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3016SFG-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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