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参数资料
| 型号： | DMS3019SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3019SSD-13DIDKR |
DMS3019SSD
1,000
C iss
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
C oss
100
C rss
T A = 85°C
10
T A = 25°C
10
1
0
5 10 15 20 25
30
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 10A
0
0
2 4 6 8 10
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 22 Gate-Charge Characteristics
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 113°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 23 Transient Thermal Response
DMS3019SSD
Document number: DS35053 Rev. 2 - 2
8 of 10
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
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