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参数资料
| 型号： | DS1200 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1KBIT 4MHZ 10DIP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 1K（1K x 1） |
| 速度： | 4MHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 10-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 10-PDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1200
Figure 1. ELECTRONIC TAG BLOCK DIAGRAM
Figure 2. ADDRESS/COMMAND
7
6
5
4
3
2
1
0
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B
0
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0
0
0
0
0
0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
R
R
R
R
R
R
R
R
W
W
W
W
W
W
W
W
B-BURST
BYTE 3
BYTE 2
BYTE 1
R-READ
W-WRITE
OPERATION
The block diagram (Figure 1) illustrates the main elements of the device: shift register, control logic,
NV RAM, and power switch. To initiate a memory cycle, RST is taken high and 24 bits are loaded into
the shift register, providing both address and command information. Each bit is input serially on the
rising edge of the CLK input. Seven address bits specify one of the 128 RAM locations. The remaining
command bits specify read/write and byte/burst mode. After the first 24 clocks, which load the shift
register, additional clocks will output data for a read or input data for a write. The number of clock pulses
equal 24 plus 8 for byte mode or 24 plus 1024 for burst mode.
For hardwired applications, active power is supplied by the V CC pin. Alternatively, for user-insertable
applications, power can be supplied by the RST pin.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DS1-20-0003 | 功能描述:固定电感器 DS Storage choke 3.15A RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
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