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参数资料
| 型号： | DS1220Y-100IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 14 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 24-EDIP |
| 包装： | 管件 |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS1220Y
(T A : See Note 10; V CC = 5.0V ± 10%)
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
OE or CE to Output Active
Output High-Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High-Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
SYM
t RC
t ACC
t OE
t CO
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
DS1220Y-100
MIN MAX
100
100
50
100
5
35
5
100
75
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35
5
40
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UNITS
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NOTES
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PDF描述 |
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参数描述 |
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