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参数资料
| 型号： | DS1225AD |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16K Nonvolatile SRAM(64K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | DS1225AD |
DS1225AB/AD
021998 7/9
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
3.2V
DATA RETENTION TIME
CE
V
CC
t
F
t
PD
t
R
t
REC
t
DR
LEAKAGE CURRENT
I
SUPPLIED FROM
LITHIUM CELL
V
TP
SEE NOTE 11
POWER–DOWN/POWER–UP TIMING
(t
A
: See Note 10)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
CE at V
IH
before Power–Down
t
PD
0
μ
s
11
V
CC
Slew from V
TP
to 0V
t
F
300
μ
s
V
CC
Slew from 0V to V
TP
t
R
300
μ
s
CE at V
IH
after Power–Up
t
REC
2
125
ms
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Expected Data Retention Time
t
DR
10
years
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery backup mode.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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