参数资料
型号: DS1230AB-85
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: Static RAM
英文描述: 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28
封装: DIP-28
文件页数: 8/12页
文件大小: 213K
代理商: DS1230AB-85
DS1230Y/AB
5 of 12
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (cont'd)
DS1230AB-120
DS1230Y-120
DS1230AB-150
DS1230Y-150
DS1230AB-200
DS1230Y-200
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle
Time
tRC
120
150
200
ns
Access Time
tACC
120
150
200
ns
OE
to Output
Valid
tOE
60
70
100
ns
CE
to Output
Valid
tCO
120
150
200
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
55
5
ns
5
Output High Z
from
Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold
from Address
Change
tOH
55
5
ns
Write Cycle
Time
tWC
120
150
200
ns
Write Pulse
Width
tWP
90
100
ns
3
Address Setup
Time
tAW
00
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z
from WE
tODW
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
55
5
ns
5
Data Setup
Time
tDS
50
60
80
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
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