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参数资料
| 型号： | DS1230AB-85 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28 |
| 封装： | DIP-28 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | DS1230AB-85 |
DS1230Y/AB
5 of 12
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (cont'd)
DS1230AB-120
DS1230Y-120
DS1230AB-150
DS1230Y-150
DS1230AB-200
DS1230Y-200
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle
Time
tRC
120
150
200
ns
Access Time
tACC
120
150
200
ns
OE
to Output
Valid
tOE
60
70
100
ns
CE
to Output
Valid
tCO
120
150
200
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
55
5
ns
5
Output High Z
from
Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold
from Address
Change
tOH
55
5
ns
Write Cycle
Time
tWC
120
150
200
ns
Write Pulse
Width
tWP
90
100
ns
3
Address Setup
Time
tAW
00
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z
from WE
tODW
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
55
5
ns
5
Data Setup
Time
tDS
50
60
80
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP28 |
| DS1230YP-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34 |
| DS1230Y-150 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP28 |
| DS1230W-150 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DIP28 |
| DS1230WP-150 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230AB-85+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-85IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-85-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABL-100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABL-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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