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参数资料
| 型号： | DS1265AB-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 36-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1265Y/AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature
Lead Temperature (soldering, 10s)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-40°C to +85°C
+260°C
Note: EDIP is wave or hand soldered only.
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect
reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1265AB Power Supply Voltage
DS1265Y Power Supply Voltage
Logic 1 Input Voltage
Logic 0 Input Voltage
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.5
2.2
0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
+0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
DC E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S
(V CC =5V ±5% for DS1265AB)
(T A : See Note 10) (V CC =5V ±10% for DS1265Y)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current
SYMBOL
I IL
I IO
MIN
-2.0
-2.0
TYP
MAX
+2.0
+2.0
UNITS
μ A
μ A
NOTES
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
I OH
I OL
-1.0
2.0
mA
mA
Standby Current CE =2.2V
Standby Current CE =V CC -0.5V
Operating Current
I CCS1
I CCS2
I CCO1
1.0
100
1.5
200
85
mA
μ A
mA
Write Protection Voltage (DS1265AB)
Write Protection Voltage (DS1265Y)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
10
10
MAX
20
20
UNITS
pF
pF
NOTES
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PDF描述 |
|---|---|
| EBM10DRTH | CONN EDGE DUAL .156 DIP 20POS |
| 5745189-7 | CONN D-SUB RCPT STR 37POS PCB AU |
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| VE-2W3-CX | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265AB-70-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265AB-70IND+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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