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参数资料
| 型号： | DS1265AB-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 36-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1265Y/AB
A C E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S
(V CC =5V ±5% for DS1265AB)
(T A : See Note 10) (V CC =5V ±10% for DS1265Y)
DS1265AB-70
PARAMETER
SYMBOL
DS1265Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
t RC
t ACC
t OE
t CO
70
70
35
70
ns
ns
ns
ns
OE or CE to Output Active
Output High Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
5
70
55
0
5
15
5
30
0
10
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
3
12
13
5
5
4
12
13
TIMING DIAGRAM: READ CYCLE
SEE NOTE 1
4 of 8
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PDF描述 |
|---|---|
| EBM10DRTH | CONN EDGE DUAL .156 DIP 20POS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265AB-70-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265AB-70IND+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265W-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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