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参数资料
| 型号： | DS1270AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | DS1270AB |
DS1270Y/AB
041598 4/8
(V
CC
=5V
±
5% for DS1270AB)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
10% for DS1270Y)
DS1270AB–70
DS1270Y–70
DS1270Y–100
PARAMETER
SYMBOL
DS1270AB–100
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
70
100
ns
Access Time
t
ACC
70
100
ns
OE to Output Valid
t
OE
35
50
ns
CE to Output Valid
t
CO
70
100
ns
OE or CE to Output Active
t
COE
5
5
ns
5
Output High–Z from Deselection
t
OD
25
35
ns
5
Output Hold from Address Change
t
OH
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
70
100
ns
Write Pulse Width
t
WP
55
75
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
t
ODW
5
15
5
15
ns
12
13
Output High–Z from WE
25
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
30
40
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
TIMING DIAGRAM: READ CYCLE
t
RC
t
ACC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
V
IH
t
OD
t
OD
V
IH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
t
COE
t
COE
OUTPUT
DATA VALID
D
OUT
OE
ADDRESSES
V
IH
V
IH
t
OE
V
IL
V
IL
CE
t
CO
SEE NOTE 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1270Y | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
| DS1270W | 3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1302 | Trickle Charge Timekeeping Chip |
| DS1305 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟（RTC）) |
| DS1306 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟（RTC）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1270AB-100 | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1270AB-100# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1270AB-70 | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1270AB-70# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1270AB-70IND | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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