型号: | DS1270AB |
厂商: | DALLAS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
中文描述: | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36 |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 65K |
代理商: | DS1270AB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
DS1270Y | 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM) |
DS1270W | 3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM |
DS1302 | Trickle Charge Timekeeping Chip |
DS1305 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟(RTC)) |
DS1306 | Serial Alarm Real Time Clock (RTC)(串行报警实时时钟(RTC)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
DS1270AB-100 | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1270AB-100# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1270AB-70 | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1270AB-70# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1270AB-70IND | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |