参数资料
型号: DS1270AB
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: DRAM
英文描述: 16M Nonvolatile SRAM(16M非易失性静态RAM)
中文描述: 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36
文件页数: 8/8页
文件大小: 65K
代理商: DS1270AB
DS1270Y/AB
041598 8/8
DS1270Y/AB NONVOLATILE SRAM 36–PIN 740 MIL EXTENDED MODULE, LONG
A
1
DIM
MIN
MAX
A
IN.
MM
B
IN.
MM
C
IN.
MM
D
IN.
MM
E
IN.
MM
F
IN.
MM
G IN.
MM
H
IN.
MM
J
IN.
MM
K
IN.
MM
2.080
52.83
2.100
53.34
0.720
18.29
0.740
18.80
0.395
10.03
0.405
10.29
0.180
4.57
0.210
5.33
0.015
0.38
0.025
0.63
0.120
3.05
0.150
4.06
0.090
2.29
0.110
2.79
0.590
14.99
0.630
16.00
0.008
0.20
0.012
0.30
0.015
0.38
0.021
0.53
C
F
G
K
D
H
B
E
J
36–PIN
PKG
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PDF描述
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参数描述
DS1270AB-100 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270AB-100# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270AB-70 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270AB-70# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270AB-70IND 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube