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参数资料
| 型号： | DS1350Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor(带电池监控的4096K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | DS1350Y |
DS1350Y/AB
042398 3/11
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage On Any Pin Relative To Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
–0.3V to +7.0V
0
°
C to 70
°
C, –40
°
C to +85
°
C for IND parts
–40
°
C to +70
°
C, –40
°
C to +85
°
C for IND parts
260
°
C For 10 seconds
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(t
A
: See Note 10)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
DS1350AB Power Supply Voltage
V
CC
4.75
5.0
5.25
V
DS1350Y Power Supply Voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
Logic 1
V
IH
2.2
V
CC
V
Logic 0
V
IL
0.0
0.8
V
(V
CC
=5V
±
5% for DS1350AB)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
10% for DS1350Y)
TYP
MAX
PARAMETER
SYMBOL
MIN
UNITS
NOTES
Input Leakage Current
I
IL
–1.0
+1.0
μ
A
I/O Leakage Current
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
I
IO
–1.0
+1.0
μ
A
Output Current @ 2.4V
I
OH
–1.0
mA
14
Output Current @ 0.4V
I
OL
2.0
mA
14
Standby Current CE = 2.2V
I
CCS1
200
600
μ
A
Standby Current CE = V
CC
–0.5V
I
CCS2
50
150
μ
A
Operating Current
I
CCO1
85
mA
Write Protection Voltage
(DS1350AB)
V
TP
4.50
4.62
4.75
V
Write Protection Voltage
(DS1350Y)
V
TP
4.25
4.37
4.5
V
CAPACITANCE
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
C
I/O
5
10
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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