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参数资料
| 型号： | DS1350Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor(带电池监控的4096K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | DS1350Y |
DS1350Y/AB
042398 4/11
(V
CC
=5V
±
5% for DS1350AB)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
10% for DS1350Y)
DS1350AB–70
DS1350Y–70
DS1350Y–100
PARAMETER
SYMBOL
DS1350AB–100
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
70
100
ns
Access Time
t
ACC
70
100
ns
OE to Output Valid
t
OE
35
50
ns
CE to Output Valid
t
CO
70
100
ns
OE or CE to Output Active
t
COE
5
5
ns
5
Output High Z from Deselection
t
OD
25
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
t
OH
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
70
100
ns
Write Pulse Width
t
WP
55
75
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
5
12
5
12
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
25
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
30
40
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
7
0
7
ns
12
13
READ CYCLE
t
RC
t
ACC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
V
IH
t
OD
t
OD
V
IH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
t
COE
t
COE
OUTPUT
DATA VALID
D
OUT
OE
ADDRESSES
V
IH
V
IH
t
OE
V
IL
V
IL
CE
t
CO
SEE NOTE 1
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PDF描述 |
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