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参数资料
| 型号： | DS2045Y-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
DS2045Y/AB Single-Piece 1Mb
Nonvolatile SRAM
Write Cycle 1
t WC
ADDRESSES
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
t AW
CE
V IL
t WP
V IL
t WR1
WE
V IH
V IL
V IL
V IH
D OUT
t ODW
HIGH
IMPEDANCE
t OEW
D IN
V IH
V IL
t DS
DATA IN STABLE
t DH1
V IH
V IL
(SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 10 – 13.)
Write Cycle 2
t WC
ADDRESSES
CE
V IH
V IL
t AW
V IH
V IL
V IL
t WP
V IL
V IH
t WR2
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
WE
D OUT
t COE
V IL
t ODW
V IL
D IN
(SEE NOTES 2, 3, 5, 6, 10 – 13.)
V IH
V IL
t DS
DATA IN STABLE
t DH2
V IH
V IL
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PDF描述 |
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参数描述 |
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