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参数资料
| 型号： | DS2045Y-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
DS2045Y/AB Single-Piece 1Mb
Nonvolatile SRAM
Typical Operating Characteristics
(V CC = +5.0V, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
SUPPLY CURRENT
vs. OPERATING FREQUENCY
SUPPLY CURRENT
vs. SUPPLY VOLTAGE
BATTERY CHARGER CURRENT
vs. BATTERY VOLTAGE
25
20
T A = +25 ° C
5MHz 100% DUTY CYCLE
250
240
230
T A = +25 ° C
9.0
8.0
7.0
220
6.0
15
210
5.0
10
5
5MHz 50% DUTY CYCLE
1MHz 100% DUTY CYCLE
200
190
180
170
4.0
3.0
2.0
0
1MHz 50% DUTY CYCLE
160
150
1.0
0
V CHRG
V CC = CE = 5.0V
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.5
V CC (V)
V CHRG PERCENT CHANGE
vs. TEMPERATURE
4.75
V CC (V)
V TP vs. TEMPERATURE
4.9
DELTA BELOW V CHRG (V)
DQ I OH vs. DQ V OH
0.4
0.3
0.2
0.1
V CC = 5.0V
V BAT = V CHRG
4.70
4.65
4.60
4.55
DS2045AB
4.7
4.5
4.3
V CC = 4.5V
0
4.50
-0.1
-0.2
4.45
4.40
4.1
3.9
-0.3
-0.4
-0.5
4.35
4.30
4.25
DS2045Y
3.7
3.5
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
-40
-20
0
20
40
60
80
-5
-4
-3
-2
-1
0
TEMPERATURE ( ° C)
DQ I OL vs. DQ V OL
TEMPERATURE ( ° C)
RST OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. OUTPUT-CURRENT LOW
I OH (mA)
RST VOLTAGE
vs. V CC DURING POWER-UP
0.40
0.35
0.30
V CC = 4.5V
0.5
0.4
V CC = 4.25V
5.5
5.0
4.5
4.0
DS2045AB
T A = +25 ° C
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.3
0.2
0.1
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
0
5
10
15
20
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
I OL (mA)
I OL (mA)
V CC POWER-UP (V)
_____________________________________________________________________
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