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参数资料
| 型号： | DS28DG02E-3C+T |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 28TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.2 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 28-TSSOP 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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DS28DG02: 2Kb SPI EEPROM with PIO, RTC, Reset, Battery Monitor, and Watchdog
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
LOW-Level Input Voltage
V IL
0.8
V
HIGH-Level Input Voltage
Output Transition Time
Power-On Setting Time
V IH
t OT
t POS
Low-current mode
(Note 9)
High-current mode
(Note 10)
High-current mode
(Note 11)
0.7 ×
V CC
V CC +
0.5V
1
25
25
V
μs
μs
PIO Read Setup Time
PIO Read Hold Time
t PS
t PH
(Note 5)
(Note 5)
100
100
ns
ns
Leakage Current
I L
High impedance, at
V CCMAX
-1
+1
μA
RSTZ PIN (Note 12) (See Figures 6, 7)
LOW-Level Output Voltage V OL
At 4mA sink current
0.3
V
LOW-Level Input Voltage
V IL
0.3 ×
V CC
V
Input Leakage Current
Minimum V CC for Valid RSTZ
I L
V POR
(Notes 5, 13)
-1
+1
2.13
μA
V
RSTZ Pulse Duration
Manual Reset Pulse Width
Manual Reset Release
Threshold
Manual Reset Debounce Time
RSTZ Delay
t RST
t MPW
V TRMS
t DEB
t DEL
(Note 14)
V CC falling below V TRIP
(Note 15)
176
1
328
V IL
t RST
532
90
ms
μs
V
ms
μs
ALMZ, WDOZ PINS
LOW-Level Output Voltage
V OL
At 4mA sink current
0.3
V
WDI PIN
LOW-Level Input Voltage
V IL
0.3 ×
V CC
V
HIGH-Level Input Voltage
Input Leakage Current
Minimum Input Pulse Width
V IH
I L
t MPW
0.7 ×
V CC
-1
1
0.88
1.64
V CC +
0.5V
+1
2.66
V
μA
μs
Watchdog Timeout
t WD
User programmable
0.44
0.22
0.82
0.41
1.33
0.67
s
WPZ, SI, SCK, CSZ PINS
0.11
0.20
0.33
LOW-Level Input Voltage
V IL
0.3 ×
V CC
V
HIGH-Level Input Voltage
Input Leakage Current
V IH
I L
0.7 ×
V CC
-1
V CC +
0.5V
+1
V
μA
SO PIN
LOW-Level Output Voltage
HIGH-Level Output Voltage
V OL
V OH
At 1mA sink current and
V CCmin
At 1mA source current
0.7 ×
V CC
0.2
V
V
Output Leakage Current
I L
High impedance, at
V CCmax
-1
+1
μA
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参数描述 |
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