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参数资料
型号： DS3065W-100#
厂商： Maxim Integrated
文件页数： 15/18页
文件大小： 0K
描述： IC NVSRAM 8MBIT 100NS 256BGA
标准包装： 18
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量： 8M（1M x 8）
速度： 100ns
接口： 并联
电源电压： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 256-BBGA
供应商设备封装： 256-BGA（27x27）
包装： 托盘
3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM
with Clock
CE
t AS
WE OR OE
INADVERTENT WRITE OR READ OF
RTC FLAGS REGISTER
INTENTIONAL WRITE OR
READ AT ADDRESS Xh
WILL RESET IRQ/FT
CS
A0 – A3
IRQ/FT
ADDRESS 0h
ADDRESS Xh
HIGH
IMPEDANCE
Figure 2. Prevent Accidental Clearing of IRQ Waveforms
V TP
V CC
ABE, AE
AF
IRQ/FT
HIGH
IMPEDANCE
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3. Battery Back-up Mode Alarm Waveforms
____________________________________________________________________
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PDF描述
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DS3065W-100#W 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
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