参数资料
型号: DS3065W-100#
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 8/18页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 8MBIT 100NS 256BGA
标准包装: 18
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 8M(1M x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-BBGA
供应商设备封装: 256-BGA(27x27)
包装: 托盘
3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM
with Clock
Typical Operating Characteristics (continued)
(V CC = 3.3V, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
V CHARGE PERCENT CHANGE
vs. TEMPERATURE
V CC = 3.3V,
V BAT = V CHARGE
3.00
2.95
2.90
2.85
2.80
WRITE PROTECTION VOLTAGE
vs. TEMPERATURE
3.5
3.3
3.1
2.9
2.7
2.5
DQ OUTPUT-VOLTAGE HIGH
vs. DQ OUTPUT-CURRENT HIGH
V CC = 3.3V
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
-5
-4
-3
-2
-1
0
TEMPERATURE ( ° C)
DQ OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. DQ OUTPUT-CURRENT LOW
TEMPERATURE ( ° C)
I OH (mA)
IRQ/FT OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. OUTPUT-CURRENT LOW
0.4
V CC = 3.3V
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.3
0.2
0.1
0.1
0
0
1
2
3
4
5
0
0
5
10
15
20
I OL (mA)
RST OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. OUTPUT-CURRENT LOW
I OL (mA)
RST VOLTAGE
vs. V CC DURING POWER-UP
0.6
0.5
V CC = 2.8V
4.0
3.5
T A = +25°C
3.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I OL (mA)
V CC POWER-UP (V)
8
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