参数资料
型号: DS72611C120FPV
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 52/226页
文件大小: 0K
描述: IC SUPERH MPU ROMLESS FP-176EV
标准包装: 1
系列: SuperH® SH7200
核心处理器: SH-2A
芯体尺寸: 32-位
速度: 120MHz
连通性: CAN,EBI/EMI,FIFO,I²C,SCI,串行声控
外围设备: DMA,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 104
程序存储器类型: ROMless
RAM 容量: 32K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 3.6 V
数据转换器: A/D 8x10b; D/A 2x8b
振荡器型: 外部
工作温度: -20°C ~ 75°C
封装/外壳: 176-LQFP
包装: 托盘
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166
8006K–AVR–10/10
ATtiny24/44/84
Notes:
1. Not all instructions are applicable for all parts.
2. a = address
3. Bits are programmed ‘0’, unprogrammed ‘1’.
4. To ensure future compatibility, unused Fuses and Lock bits should be unprogrammed (‘1’) .
5. Refer to the correspondig section for Fuse and Lock bits, Calibration and Signature bytes and Page size.
6. Instructions accessing program memory use a word address. This address may be random within the page range.
7. See http://www.atmel.com/avr for Application Notes regarding programming and programmers.
Figure 19-2. Serial Programming Instruction example
Write Instructions(6)
Write Program Memory Page
$4C
adr MSB
adr LSB
$00
Write EEPROM Memory
$C0
$00
adr LSB
data byte in
Write EEPROM Memory Page (page access)
$C2
$00
adr LSB
$00
Write Lock bits
$AC
$E0
$00
data byte in
Write Fuse bits
$AC
$A0
$00
data byte in
Write Fuse High bits
$AC
$A8
$00
data byte in
Write Extended Fuse Bits
$AC
$A4
$00
data byte in
Table 19-12. Serial Programming Instruction Set (Continued)
Instruction/Operation(1)
Instruction Format
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte4
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte 4
Adr LSB
Bit 15 B
0
Serial Programming Instruction
Program Memory/
EEPROM Memory
Page 0
Page 1
Page 2
Page N-1
Page Buffer
Write Program Memory Page/
Write EEPROM Memory Page
Load Program Memory Page (High/Low Byte)/
Load EEPROM Memory Page (page access)
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte 4
Bit 15 B
0
Adr MSB
Page Offset
Page Number
Adr M
MS
SB
A
Adrr L
LSB
B
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