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参数资料
| 型号： | DSA70C150HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 150V 2X35A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 35A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 680µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 35A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DSA70C150HB
S
?
P
?
P1
D2
D1
E1
4
123
L
L1
2x
b2
3x
b
b4
2x
e
2x
E2
D
E
Q
A
A2
A1
C
Sym. Inches Millimeter
min. max. min. max.
A 0.185 0.209 4.70 5.30
A1 0.087 0.102 2.21 2.59
A2 0.059 0.098 1.50 2.49
D 0.819 0.845 20.79 21.45
E 0.610 0.640 15.48 16.24
E2 0.170 0.216 4.31 5.48
e 0.215 BSC 5.46 BSC
L 0.780 0.800 19.80 20.30
L1 - 0.177 - 4.49
? P 0.140 0.144 3.55 3.65
Q 0.212 0.244 5.38 6.19
S 0.242 BSC 6.14 BSC
b 0.039 0.055 0.99 1.40
b2 0.065 0.094 1.65 2.39
b4 0.102 0.135 2.59 3.43
c 0.015 0.035 0.38 0.89
D1 0.515 - 13.07 -
D2 0.020 0.053 0.51 1.35
E1 0.530 - 13.45 -
? P1 - 0.29 - 7.39
1
2
3
Outlines TO-247
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSA80C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247 |
| DSA90C200HB | DIODE SCHTTKY 200V 2X45A TO247AD |
| DSB40C15PB | DIODE SCHOTTKY 15V 2X20A TO-220 |
| DSB60C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X30A TO247AD |
| DSB60C60PB | DIODE SCHOTTKY 60V 2X30A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA70C200HB | 功能描述:肖特基二极管与整流器 HiPerFRED RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| DSA710100L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7101Q0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7101R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7102R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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