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参数资料
| 型号： | DSA70C150HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 150V 2X35A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 35A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 680µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 35A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DSA70C150HB
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
04080120160
0.0001
0.001
25°C
[mA]
75°C
0.01
0.1
100°C
1
10
TVJ=175°C
100
0204010 30 50
0
10
20
30
40
1 10 100 1000 10000
0.0
0.1
0.2
0.3
thJC
[K/W]0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0 50 100 150 200
0
10
20
30
40
50
60
0 40 80 120 160
0
100
200
300
[pF]
400
500
T
600
700
800
900
1000
DC
50°C
125°C
Single Pulse
150°C
IF
[A]
VF
[V]
IR
VR
[V]
VR
[V]
C
TC
[°C]
IF(AV)
[A]
P(AV)
[W]
t
[ms]
Note: All curves are per diode
Fig. 1 Maximum forward voltage
drop characteristics
Fig. 2 Typ. reverse current
IR
vs. reverse voltage VR
Fig. 3 Typ. junction capacitance
CT
vs. reverse voltage VR
Fig. 4 Average forward current
IF(AV)
vs. case temperature TC
Fig. 5 Forward power loss
characteristics
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles
IF(AV)
[A]
TVJ
=
150°C
125°C
25°C
TVJ=25°C
d= 0.5
d =
DC
0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
Z
Schottky
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSA80C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247 |
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| DSB60C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X30A TO247AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DSA710100L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7101Q0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7101R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7102R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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