参数资料
型号: DSEC120-12AK
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 54K
描述: DIODE UFAST 1200V 60A CC TO264A
标准包装: 24
系列: HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.66V @ 60A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 650µA @ 1200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 60A
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
反向恢复时间(trr): 40ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔,径向
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264A
包装: 管件
? 2004 IXYS All rights reserved
2 - 2
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
DSEC 120-12AK
403
0 400 800200 600 1000A/μs
160
200
240
280
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10s
t
0.01
0.1
1
0 40 80 120 160°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Kf
TVJ
-diF/dt
K/W
0 200 400 600 800 1000A/μs
0
40
80
120
0.0
0.4
0.8
1.2
VFR
diF/dt
V
0 400 800200 600 1000A/μs
0
20
40
60
80
100
0123V
100 1000A/μs
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
IRM
Qr
IF
A
VF
-diF/dt
-diF/dt
A
μC
trr
ns
tfr
μs
DSEP 60-12A
ZthJC
IF= 120A
IF= 60A
IF= 30A
TVJ= 100°C
VR = 600V
TVJ= 100°C
IF
= 60A
Fig. 3 Peak reverse current I
versus -di
RM
F/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
versus -di
r
F/dt
Fig. 1 Forward current IF
versus V
F
TVJ= 100°C
VR = 600V
TVJ= 100°C
VR = 600V
IF= 120A
IF= 60A
IF= 30A
Qr
IRM
Fig. 4 Dynamic parameters Qr, I
versus T
RM
VJ
Fig. 5 Recovery time trr
versus -di
F/dt Fig. 6 Peak forward voltage VFR
and t
versus di
fr
F/dt
IF= 120A
IF= 60A
IF= 30A
tfr
VFR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
TVJ=150°C
TVJ=100°C
TVJ= 25°C
Constants for ZthJC
calculation:
iRthi
(K/W) t
i
(s)
1 0.324 0.0052
2 0.125 0.0003
3 0.201 0.038
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