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参数资料
| 型号： | DSEE29-12CC |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 106K |
| 描述： | DIODE HFRED 1200V 30A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerDynFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.62V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
DSEE29-12CC
ns
HiPerFRED
Symbol Definition
R a t i n g s
Features / Advantages:
typ. max.
IFSM
IR
A
V
200
IFAV
A
VF
1.62
RthJC
0.90 K/W
VR
=
600
1
2
3
min.
30
t = 10 ms
(50 Hz), sine
Applications:
VRRM
V
600
V°C=
25
500
μA
TVJ
TVJ
=mA150
1
°C
Package:
Part number
VR
=
600
TVJ
=°C25
IF
=A30
V
TC
=
130°C
rectangular 0.5d =
Ptot
165 W
TC
=
25
°C
TVJ
175 °C
-55
VRRM
=
IFAV
=
600
V
30
A
TVJ
=
45°C
DSEE29-12CC
V
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
Conditions
Unit
1.95
TVJ
=25
°C
CJ
junction capacitance
V = V; TR
400 pFf = 1 MHz = °CVJ
25
VF0
V
1.00
TVJ
=
175°C
rF
10
m?
V
1.27
TVJ
=°C150
IF
=A30
V
1.58
IF
=A60
IF
=A60
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
Backside: isolated
17 A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
29
35
90
ns
trr
=
35 ns
●
Housing:
ISOPLUS220
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
Phase leg
●rIndustry standard outline
●rDCB isolated backside
●rIsolation Voltage 3000 V
●rEpoxy meets UL 94V-0
●rRoHS compliant
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;30
VR
=V300
T=VJ
100°C
-diF/dt
=A/μs600
trr
TVJ
=°C25
T=VJ
100°C
26
thermal resistance junction to case
●
Planar passivated chips
●
Very low leakage current
●
Very short recovery time
●
Improved thermal behaviour
●
Very low Irm-values
●
Very soft recovery behaviour
●
Avalanche voltage rated for reliable operation
●
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
●
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
●
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
●
Antisaturation diode
●
Snubber diode
●
Free wheeling diode
●
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
●
Uninterruptible power supplies (UPS)
average forward current
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
?
2011 IXYS all rights reserved
20110215a
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEE30-12A | DIODE 1200V 30A TO-247AD |
| DSEE55-24N1F | DIODE HFRED 2400V 55A I4-PAC |
| DSEE8-06CC | DIODE HFRED 600V 10A ISOPLUS220 |
| DSEK60-02A | DIODE FRED 200V 34A TO-247AD |
| DSEK60-06A | DIODE FRED 600V 2X30A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEE30-12A | 功能描述:整流器 1200V 30A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEE55-24N1F | 功能描述:整流器 55 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEE6-06CC | 功能描述:整流器 6 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEE8-06CC | 功能描述:整流器 10 Amps 600V 1.75 Rds RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEE8-08CC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 8 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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