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参数资料
| 型号： | DSEI2X31-12B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 1200V 28A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.55V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 750µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 28A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 60ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DSEI 2x 30, 1200 V
DSEI 2x 31, 1200 V
I F =30A
I F =60A
I F
70
A
60
50
40
30
T VJ =25 ° C
T VJ =100 ° C
T VJ =150 ° C
Q r
6
T VJ =100 ° C
μC V R = 540V
5
4
I F =30A
3 I F =15A
50
A
40
I RM
30
20
T VJ =100 ° C
V R = 540V
I F =30A
I F =60A
I F =30A
I F =15A
max.
20
10
0
2
1
0
max.
typ.
10
0
typ.
0
1
2
3
V
4
1
10
100 A/μs 1000
0
200
400 A/μs 600
V F
Fig. 1 Forward current
versus voltage drop.
-di F /dt
Fig. 2 Recovery charge versus -di F /dt.
-di F /dt
Fig. 3 Peak reverse current versus
-di F /dt.
1.4
1.0
60
1200
1.2
μs
0.8
T VJ =100 ° C
V R =540V
V
50
V FR
ns
1000
K f
1.0
0.8
I RM
t rr
0.6
max.
I F =30A
I F =60A
I F =30A
I F =15A
V FR
40
30
800
600
t fr
0.6
Q R
0.4
20
400
0.4
0.2
0.0
0.2
0.0
typ.
10
0
t fr
T VJ =125 ° C
I F =30A
200
0
0
40
80
120 ° C 160
0
200
400
A/μs 600
0
200
400 A/μs 600
T J
Fig. 4 Dynamic parameters versus
junction temperature.
-di F /dt
Fig. 5 Recovery time versus -di F /dt.
di F /dt
Fig. 6 Peak forward voltage
versus di F /dt.
Dimensions
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
miniBLOC SOT-227 B
Q
R
26.54
3.94
26.90
4.42
1.045
0.155
1.059
0.174
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case.
M4 screws (4x) supplied
S
T
U
V
W
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
? 2000 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEI2X31-12P | DIODE FRED 1200V 28A ECO-PAC1 |
| DSEI2X61-04C | DIODE FRED 400V 60A SOT-227B |
| DSEI2X61-06P | DIODE FRED 600V 60A ECO-PAC1 |
| DSEI2X61-10B | DIODE FRED 1000V 2X60A SOT-227 |
| DSEI2X61-12B | DIODE ARRAY 1200V 52A SOT227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEI2x31-12P | 功能描述:整流器 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEI2X61 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| DSEI2x61-02A | 功能描述:整流器 120 Amps 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEI2X61-02P | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSEI2x61-04C | 功能描述:整流器 120 Amps 400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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