参数资料
型号: DSEP60-06AT
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 41K
描述: DIODE FRED 600V 60A TO-268AA
标准包装: 30
系列: HiPerFRED™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 60A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.04V @ 60A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 650µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装: TO-268AA
包装: 管件
? 2000 IXYS All rights reserved
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DSEP 60-06A
DSEP 60-06AT
0 400 800200 600 1000A/
s
80
90
100
110
120
130
140
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1s
t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0 40 80 120 160°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Kf
TVJ
-diF/dt
K/W
0 200 400 600 800 1000A/
s
0
5
10
15
20
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
VFR
diF/dt
V
0 400 800200 600 1000A/
s
0
20
40
60
80
100 1000A/
s
0
1000
2000
3000
4000
012V
0
20
40
60
80
100
I
120
F
140
160
IRM
Qr
A
VF
-diF/dt
-diF/dt
A
nC
trr
ns
tfr
μs
DSEP 60-06A
ZthJC
IF=120A
IF= 60A
IF= 30A
TVJ= 100°C
VR = 300V
TVJ= 100°C
IF
= 60A
Fig. 3 Peak reverse current I
versus -di
RM
F/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
versus -di
r
F/dt
Fig. 1 Forward current IF
versus V
F
TVJ= 100°C
VR = 300V
TVJ= 100°C
VR = 300V
IF=120A
IF= 60A
IF= 30A
Qr
IRM
Fig. 4 Dynamic parameters Qr, I
versus T
RM
VJ
Fig. 5 Recovery time trr
versus -di
F/dt Fig. 6 Peak forward voltage VFR
and t
versus di
fr
F/dt
IF=120A
IF= 60A
IF= 30A
tfr
VFR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
Constants for ZthJC
calculation:
iRthi
(K/W) t
i
(s)
1 0.324 0.0052
2 0.125 0.0003
3 0.201 0.0385
TVJ= 25°C
TVJ=150°C
TVJ=100°C
NOTE: Fig. 2 to Fig. 6 shows typical values
018
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DSEP6-06BS 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 6 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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