分离式半导体产品 IPA65R660CFD品牌、价格、PDF参数
IPA65R660CFD • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPA65R660CFD |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220 |
0 |
10,000:$1.29642
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| IPB120N04S4-01 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 |
0 |
1,000:$1.28789
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IPA65R660CFD • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
650V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
6A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
660 毫欧 @ 2.1A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 200µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
22nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
615pF @ 100V
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| 功率 - 最大: |
27.8W
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| 安装类型: |
通孔
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| 封装/外壳: |
TO-220-3 整包
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| 供应商设备封装: |
PG-TO220 整包
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| 包装: |
管件
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