| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 1,884 | 1:$5.31000 10:$4.77900 100:$3.89400 250:$3.54000 |
| EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 1,500 | 500:$2.93820 1,000:$2.47800 5,000:$2.25675 10,000:$2.19480 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化镓 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4 毫欧 @ 33A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 9mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1100pF @ 20V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 模具剖面（11 焊条） |
| 供应商设备封装: | 模具剖面（11 焊条） |
| 包装: | 剪切带 (CT) |