元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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RRS100P03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC | 0 | 2,500:$0.76140 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | - |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | - |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC |
供应商设备封装: | 8-SOIC |
包装: | 带卷 (TR) |