| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB107N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 | 1,726 | 1:$8.54000 10:$7.73800 25:$7.09320 100:$6.44820 250:$5.80340 500:$5.31976 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 10.7 毫欧 @ 88A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装: | PG-TO263-2 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |