元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
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RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK | 0 | 2,500:$0.50400 5,000:$0.47880 12,500:$0.45900 25,000:$0.44640 62,500:$0.43200 |
类别: | 分离式半导体产品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 35A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.7 毫欧 @ 17.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2180pF @ 10V |
功率 - 最大: | 45W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SC-100,SOT-669 |
供应商设备封装: | LFPAK |
包装: | 带卷 (TR) |