EPC2100

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2100ENG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2100ENG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1650
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

EPC2100
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
357
EPC
BGA
20+
-
瑞智芯只做原装

EPC2100
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
357
EPC
BGA
19
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Ta），40A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
4.9nC @ 15V，19nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 15V，1960pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2100 技术参数

EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 15A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.2nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2046ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:345pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2045ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:685pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 16A，5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:模具封装/外壳:模具标准包装:1 EPC2040ENGRT 功能描述:TRANS GAN 15V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:15V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 1.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.93nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 6V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT