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参数资料
| 型号： | ECH8419-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8419
10
9
ID -- VDS
14
12
ID -- VGS
VDS=10V
8
7
10
6
5
4
3
2
1
3.5V
VGS=3.0V
8
6
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
1
2
3
4
5
60
50
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=2.5A
5A
IT15793
Ta=25 ° C
60
50
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT15794
40
40
4.0V, I D
V GS= A
I =2.5
4.5V, D
V, I D=
=10.0
30
20
10
30
20
10
VG S=
V GS
=2.5A
5.0A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
5 °
=-
° C
10
7
5
3
2
1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
C
25 °
C
-2
Ta
75
IT16144
VDS=10V
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16145
VGS=0V
7
5
3
2
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
100
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT15797
VDD=20V
VGS=10V
3
2
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15798
f=1MHz
5
7
3
tf
5
2
td(on)
3
2
10
7
5
tr
100
7
C os s
Crss
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
5
0
5
10
15
20
25
30
35
Drain Current, ID -- A
IT15892
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15800
No. A1886-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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